|
Описание |
Производитель |
Кол-во |
Цена (руб), опт./розн. |
Купить
|
FZT749
|
|
Unknown |
заказ |
38.10 |
|
FZT749
|
|
Unknown |
заказ |
17.29 |
|
FZT851TA
|
|
Diodes |
681 шт. |
49.04 |
|
FZT851TA
|
|
Diodes |
заказ |
80.40 |
|
GT50JR22
|
|
Unknown |
заказ |
146.40 |
|
GT50JR22
|
|
Unknown |
заказ |
243.84 |
|
GT50JR22
|
|
TOS |
10364 шт. |
201.13 |
|
GT50JR22 Toshiba
|
|
Unknown |
11 шт. |
608.00 |
|
GT50JR22(STA1,E,S)
|
Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт ... |
Toshiba |
заказ |
|
|
HFP830, (равноценная замена IRF830PBF Vishay/IR) Транзистор MOSFET N-канальный 500 В 4,5 А [TO-220]
|
|
SEMIHOW |
заказ |
17.44 |
|
HGTG 30N60A4D
|
|
Unknown |
заказ |
723.76 |
|
HGTG12N60A4D
|
|
Unknown |
заказ |
564.19 |
|
HGTG12N60A4D
|
|
Unknown |
заказ |
226.70 |
|
HGTG12N60A4D
|
|
ONS |
заказ |
425.88 |
|
HGTG20N60B3D
|
|
FAIRCHILD |
30 шт. |
450.00 |
|
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]
|
|
Onsemiconductor |
220 шт. |
911.26 |
|
HGTG30N60A4D
|
|
FAIRCHILD |
заказ |
360.00 |
|
HGTG30N60A4D
|
IGBT+ диод 600В 75А [TO-247] |
Onsemiconductor |
заказ |
|
|
HGTG30N60A4D
|
|
ONS |
заказ |
601.51 |
|
HGTG30N60A4D
|
|
FAIRCHILD |
10 шт. |
952.50 |
|
HGTP12N60A4D
|
|
ONS |
заказ |
127.98 |
|
HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB]
|
|
Onsemiconductor |
заказ |
437.50 |
|
HMBT8550
|
|
HI-SINCER |
305 шт. |
6.00 |
|
IGBT транзистор IRG4PH40UDPBF SP001537144 IRF
|
|
Infineon |
заказ |
312.40 |
|
IGBT транзистор IRGPS40B120UDP SP001536518 IRF
|
|
Infineon |
заказ |
1 396.60 |
|
IHW20N120R3
|
|
Unknown |
11 шт. |
569.21 |
|
IHW20N120R3 (H20R1203)
|
Транзистор 1200V 40A 310W [TO247-3] |
Infineon |
заказ |
|
|
IHW20N120R3FKSA1
|
|
Infineon |
заказ |
158.10 |
|
IHW20N120R3FKSA1
|
|
INF |
333 шт. |
337.60 |
|
IHW30N160R5XKSA1
|
|
INF |
1880 шт. |
432.53 |
|
Повторяющиеся наименования соответствуют различным партиям товара с разных складов и(или) производителей
Цена в счете на позицию с количеством "заказ", может отличаться от указанной на сайте, в связи с неактуальностью по времени
|