Семейство биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором разработки компании Microsemi разработано для широкого диапазона промышленных применений, требующих работы с большой мощностью и высоким КПД. Новые транзисторы, расширяющие уже существующую линейку NPT IGBT, могу использоваться в сварочных аппаратах, солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания и импульсных источниках питания.

Все компоненты данного 1200В семейства изготавливаются по усовершенствованной технологии MOS 8, использование которой позволяет снизить не менее чем на 20% потери коммутации и проводимости по сравнению с другими конкурирующими решениями. NPT IGBT могут производиться со встроенными FRED или карбидокремниевыми диодами Шоттки.

Основные особенности 1200В NPT IGBT транзисторов Microsemi:
• Значительно более низкий заряд затвора позволяет осуществлять коммутацию на более высокой частоте;
• Частота коммутации более 80 кГц, при использовании "жёсткого" переключения для получения более высокого уровня КПД в схемах преобразователей источников питания;
• Лёгкое объединение транзисторов для работы при параллельном включении (положительный температурный коэффициент напряжения Vcesat), применяемом для повышения уровня надёжности в мощных устройствах;
• Нормированное время сопротивления короткому замыканию, делает возможной надёжную работу в разработках, допускающих возможность короткого замыкания.

Компания Microsemi предлагает 1200В NPT IGBT транзисторы в корпусе для поверхностного монтажа с большой площадью задней поверхности, приспособленной для пайки, формфактора D3. Это позволит разработчикам добиться более высокой плотности мощности и более низких производственных затрат.

Семейство 1200В биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором Microsemi теперь состоит из более чем 20 устройств с уровнями рабочих токов 25A, 40A, 50A, 70A и 85A. Транзисторы доступны в данный момент в корпусах формфакторов D3, TO-247, T-MAX, TO-264 и SOT-227. Новые компоненты в данный момент доступны для серийных поставок.