В отличие от кремния, карбид кремния обладает высокой теплопроводностью, высоким электрическим полем пробоя и высокой плотностью электрического тока, что делает его оптимальным материалом для производства устройств большой мощности. Он также имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0•10−6 K) и не испытывает фазовые переходы, из-за которых может произойти разрушение монокристаллов.

Новая линейка карбидокремниевых диодов Шоттки с рабочим напряжением 1200В (150°C) включает в себя следующие устройства:
• APT10SCD120BCT (1200В, 10А, два диода с общим катодом, корпус TO 247);
• APT20SCD120B (1200В, 20А, корпус TO 247);
• APT30SCD120B (1200В, 30А, корпус TO 247);
• APT20SCD120S (1200В, 20А, корпус D3);
• APT30SCD120S (1200В, 30А, корпус D3).