Microsemi Corporation представила новый радиочастотный транзистор 2729GN-500, предназначенный для применения в системах радиолокации.
Транзистор 2729GN-500 компании Microsemi с пиковой выходной мощностью 500 Вт предназначен для работы на частотах 2,7-2,9ГГц.
Транзистор производится по полупроводниковой технологии нитрид галлия на карбиде кремния (GaN-on-SiC), обеспечивающей более высокую надежность и большее время наработки на отказ по сравнению с традиционной технологией GaN на подложке из кремния ( GaN-on-Si). Транзистор 2729GN-500 имеет выходную мощность 500 Вт (без использования параллельного включения) с коэффициентом усиления мощности 12.6 дБ и 53% эффективностью.
Характеристики транзистора 2729GN-500: - Пиковая выходная мощность: 500Вт - Длительность импульса 100мкс при 10% заполнения - Коэффициент усиления мощности 11.5 дБ (минимум), 12.16 (типичный) - Напряжение смещения стока (Vdd): +65V
Корпус Транзистор поставляется в герметичном корпусе 55-KR, имеющем размеры 26.16x9.78x3.43м

www.microsemi.com/