Микросхемы Flash-памяти AT45DB041D, производства компании Atmel, превосходно подходят для хранения небольших объемов  программного кода или данных. Память 4 Мбит организована в виде 2048 страниц по 256 или 264 байта каждая. В дополнение к этому, доступен буфер SRAM-памяти размером 256/264 байта, используемый в процессе перепрограммирования. Он также может быть использован в качестве временной системной памяти и для эмуляции EEPROM.

Последовательный доступ к памяти AT45DB041D посредством SPI-совместимого скоростного интерфейса RapidS значительно уменьшает размеры корпуса и число выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы.

Отличительные особенности:

• Тип памяти: Flash;
• Объем памяти: 4 Мбит;
• Конфигурация памяти: 2K x 256 байт;
• Последовательный интерфейс RapidS (SPI-совместимый, Mode 0 и 3);
• Тактовая частота шины RapidS: 66 МГц;
• Количество циклов записи/стирания: не менее 100 тыс. на страницу;
• Срок сохранности данных: не менее 20 лет;
• Напряжение питания: 2,5…3,6 В;
• Ток потребления в рабочем режиме: 7 мА;
• Ток потребления в режиме ожидания: 25 мкА;
• Ток потребления в режиме сна: 15 мкА;
• Соответствует директиве RoHS;
• Температурный диапазон: -40…+85 °C;
• Корпус: SO8-208-1.27.

Области применения: широкий круг промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.