Семейство полевых транзисторов торговой марки StrongIRFET™ отличается сверхнизкими параметрами сопротивления канала в открытом состоянии. Например, новый транзистор IRL6283M на 20 В имеет сопротивление 500 мкОм и выпускается в корпусе DirectFET®, площадь которого занимает 30 кв.мм.
Малые потери на проводимость делают их привлекательными для силовых схем ИЛИ (ORing) и электронных предохранителей (eFuse). Новые приборы можно подключать к шине 3.3, 5 или 12 В. Их потери на токе 20А на 15% ниже, чем у лучших транзисторов в корпусе PQFN с той же площадью 30 кв.мм.
Поэтому использование новых транзисторов позволит разработчикам сократить число компонентов обвязки в схемах с высоким протекающим током.

Как и другие транзисторы в корпусе DirectFET®, новые приборы имеют двухстороннее охлаждение для лучшей теплопроводности и конструкцию без применения проволочных перемычек, что значительно повышает их надежность. Кроме того, корпуса DirectFET® полностью соответствуют директиве RoHS.
Также, семейство транзисторов StrongIRFET™ включает модели в PQFN корпусах со стандартным посадочным местом.