Полупроводники из карбида кремния (SIC) компании Microchip Technology предоставляют инновационный вариант разработчикам силовой электроники, которые стремятся повысить эффективность систем, уменьшить форм-фактор и повысить рабочую температуру в промышленных, транспортных / автомобильных, медицинских, аэрокосмических / авиационных, оборонных и коммуникационных приложениях. МОП-транзисторы SIC следующего поколения и SIC SBD разработаны с более высокой способностью к повторяющейся незамкнутой индуктивной коммутации (UIS) при номинальном сопротивлении или токе включения. Эти МОП-транзисторы SIC обеспечивают высокую пропускную способность UIS примерно от 10 до 25 джоулей на квадратный сантиметр (Дж/см2) и надежную защиту от короткого замыкания. Барьерные диоды Шоттки SIC от Microchip (SBDS) спроектированы со сбалансированным током перенапряжения, прямым напряжением, тепловым сопротивлением и тепловой емкостью при низком обратном токе для снижения потерь при переключении. Кроме того, МОП-транзистор SIC и матрица SIC SBD могут быть сопряжены для использования в модулях. Продукты SIC MOSFET и SIC SBD от Microchip будут соответствовать стандарту AEC-Q101.