Производителем Everspin выпущено новое семейство EMD3D256 ST-MRAM с интерфейсом DDR3 объемом 256 Мбит. Это самый высокий объем магниторезистивной памяти, основанной на переносе спиновых состояний, доступный на рынке.

Компания Everspin разрабатывает и производит ST-MRAM – следующее поколение энергонезависимой памяти. В ней для записи бита используется ток, протекающий через структуру ячейки.

ST-MRAM по быстродействию сопоставим с динамической ОЗУ, но не требует регенерации данных в процессе работы и дополнительной защиты от сбоев по питанию, что позволяет применять ее как кэш-память и буферную память для систем хранения данных.

Everspin планирует дальнейшее увеличение объема и выпуск образцов на 1 Гбит с интерфейсом DDR4 в конце 2016 года.

Основные характеристики:

• Технология уровня 40 нм на 300-мм пластине
• Поддержка скорости записи в 100 000 раз больше, чем NAND flash
• Работа с интерфейсами памяти DDR3/DDR4 DRAM
• Самый высокий уровень выносливости среди имеющихся на рынке энергонезависимых запоминающих устройств